富士电机电源半导体是日本富士电机株式会社研发生产的功率半导体器件系列，主要包括IGBT模块、SiC（碳化硅）MOSFET、功率二极管等核心产品。该系列器件采用先进的微沟槽栅和场终止技术，电压等级覆盖600V-6500V，电流容量最高达3600A，具有低导通损耗、高开关速度、强短路耐受能力等特点，广泛应用于工业变频器、新能源发电、电动汽车驱动等高压大功率电能转换领域。
该系列产品的技术优势体现在其创新的器件结构和封装工艺。第七代X系列IGBT采用微图案沟槽栅结构，使导通损耗较前代降低10%，开关损耗降低15%。SiC MOSFET产品采用全SiC模块设计，支持最高200kHz的开关频率，系统效率提升2%以上。所有模块均采用ALSiC基板与超声波绑定技术，热阻降低30%，寿命延长至传统产品的3倍，同时通过AQG324等车规级认证。
随着全球碳中和进程加速，富士电机电源半导体在新能源汽车和可再生能源领域的市场份额持续增长。近期推出的双面冷却模块已应用于丰田、本田等车企的下一代电驱系统，助力续航里程提升。面对市场需求，公司正在开发8英寸SiC晶圆制造工艺，并推进3.3kV以上高压SiC模块的产业化。同时加强与中国车企的合作，建设本地化生产线以满足不断增长的市场需求。
|
